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晶振技术术语

     晶振技术术语 1、 标称频率:晶体技术条件中规定的频率,通常标识在产品外壳上。   2、 工作频率:晶体与工作电路共同产生的频率。   3、 调整频差:在规定条件下,基准温度(25±2℃)时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。   4、 温度频差:在规定条件下,在工作温度范围内相对于基准温度(25±2℃)时工作频率的允许   偏差。   5、 老化率:在规定条件下,晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为   年老化率。   6、 静电容:等效电路中与串联臂并接的电容,也叫并电容,通常用C0表示。   7、 负载电容:与晶体一起决定负载谐振频率fL的有效外界电容,通常用CL表示。   负载电容系列是:8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。   只要可能就应选推荐值:10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。 8、 负载谐振频率(fL):在规定条件下,晶体与一负载电容相串联或相并联,其组合阻抗呈现为 电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时, 负载谐振频率是两个频率中较低的一个,在并联负载电容时,则是两个频率中较高的一个。 9、 动态电阻:串联谐振频率下的等效电阻。用R1表示。   10、 负载谐振电阻:在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用RL表示。   RL=R1(1+C0/CL)2  激励电平可选值有:2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等 12、 基频:在振动模式最低阶次的振动频率。   13、 泛音:晶体振动的机械谐波。泛音频率与基频频率之比接近整数倍但不是整数倍, 这是它与电气谐波的主要区别。泛音振动有3次泛音,5次泛音,7次泛音,9次泛音等。                                                         
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